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Affichage 21 articles: IKW50N60T à IR2010S (Page 168 sur 485)

Transistor IKW50N60T
IKW50N60T
23.30€ TTC
54 En stock
54 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 80A. Puissance: 330W. Vce(sat): 1.5V. Boîtier: TO-247(AC). IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology. Td(on): 26ns / Td(off): 299ns

 
 
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Transistor IKW75N60T
IKW75N60T
25.70€ TTC
65 En stock
65 En stock

N-IGBT+D 600V 80A/225Ap 428W Vce(sat)1.5V. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: IKW50N60TFKSA1. Jelzés a tokon: K75T60. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO-247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 80 A. Ic(T-100°C): 75 A. Ic(puls): 225 A. Puissance: 428 W. V

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré INA114AP
INA114AP
58.24€ TTC
2 En stock
2 En stock

Circuit intégré INA114AP. Audio Differential Line Receivers 0Db (G=1)

 
 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré INA114BP
INA114BP
56.39€ TTC
3 En stock
3 En stock

Circuit intégré INA114BP. Audio Differential Line Receivers 0Db (G=1)

 
 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré INA134PA
INA134PA
10.75€ TTC
19 En stock
19 En stock

Circuit intégré INA134PA. Differential Line Receivers 0dB (G=1). Boîtier: DIP-8. VS= +/-18V. Gamme de température de fonctionnement: -40°C à +85°C.

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré INA138NA-250
INA138NA-250
8.96€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré INA138NA-250. High-Side Measurement 2.7V – 36V

 
 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré INA169NA
INA169NA
14.28€ TTC
25 En stock
25 En stock

Circuit intégré INA169NA. High-Side Measurement. Constructeur: BURR-BROWN BY TEXAS. Code constructeur: INA169NA/250G4. Marquage boîtier: A69. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SOT-23 (TO-236). Boîtier: SOT23-5. Vcc (op): 75V. Tension d'alimentation: 2.7V - 60V. Plage de température de fonctionnement: -40°C à +85°C.

 
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Tarifs dégressifs

Circuit amplificateur opérationnel INA193AIDBVT
INA193AIDBVT
9.46€ TTC
15 En stock
15 En stock

Circuit amplificateur opérationnel INA193AIDBVT. CURRENT SENSE AMPLIFIER. Boîtier: SOT23-5. 20V/V. Constructeur: TEXAS. INA193AIDBVTG4

 
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Tarifs dégressifs

Amplificateur opérationnel d'instrumentation INA217AIP
INA217AIP
22.29€ TTC
43 En stock
43 En stock

Amplificateur opérationnel d'instrumentation INA217AIP. Instrumentation Amplifier. Boîtier: DIP-8. Faible bruit. Low-Distortion.

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré INS8049-6FYG
INS8049-6FYG
13.94€ TTC
49 En stock
49 En stock

Circuit intégré INS8049-6FYG. MICROCOMPUTER IC. /031B.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IP3002
IP3002
22.29€ TTC
1 En stock
1 En stock

Transistor IP3002 Power Factor Correction 8p. DIP-8. Constructeur: INTERPION.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor IPA60R600E6
IPA60R600E6
7.95€ TTC
2 En stock
2 En stock

Transistor IPA60R600E6 N-MOS 650V 7.3A 28W 0.54R(4.6A)TO220F. Cool Mos E6 POWER trafnsistor. ID puls: 19A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220FP-3 Fully isolated packages(2500VAC:1minute. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.3 A.

 
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Transistor MOSFET canal-N IPB80N06S2-07
IPB80N06S2-07
9.02€ TTC
98 En stock
98 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 55V 80A/320Ap 250W. Résistance passante RDSon : 0.0056 Ohms (80A) TO263

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IPB80N06S2-08
IPB80N06S2-08
7.00€ TTC
218 En stock
218 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 55V 80A/320Ap 215W. Résistance passante RDSon : 0.0065 Ohms (80A) TO263

 
 
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Transistor MOSFET canal-N IPB80N06S2-09
IPB80N06S2-09
7.67€ TTC
159 En stock
159 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 55V 80A/320Ap 190W. Résistance passante RDSon : 0.0076 Ohms (80A) TO263

 
 
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Transistor MOSFET canal-N IPD050N03L-GATMA1
IPD050N03L-GATMA1
3.08€ TTC
10 En stock
10 En stock

Transistor MOSFET canal-N SMD 30V 50A/350Ap 68W. Résistance passante RDSon : 0.0076 Ohms (50A) TO252

 
 
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Transistor IPD50N03S2L-06
IPD50N03S2L-06
5.94€ TTC
35 En stock
35 En stock

Transistor CMS MOSFET canal N 30V 50A. Référence d'origine constructeur: IPD50N03S2L-06. Marquage boîtier: PN03L06. Boîtier: TO-252 (D-PAK). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 50A. Puissance: 136W. Résistance Rds: 7.6 milliOhms. Logic Level.

 
 
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Transistor MOSFET canal-N IPI80N06S2-08
IPI80N06S2-08
7.67€ TTC
476 En stock
476 En stock

Transistor MOSFET canal-N 55V 80A/320Ap 215W. Résistance passante RDSon : 0.0065 Ohms (80A) TO262

 
 
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Circuit intégré IR1167ASPBF
IR1167ASPBF
12.10€ TTC
48 En stock
48 En stock

Circuit intégré IR1167ASPBF. 18V 500Khz Smt Smart Rectifier Control

 
 
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Circuit intégré IR2010
IR2010
13.78€ TTC
12 En stock
12 En stock

Circuit intégré IR2010. HIGH & LOW SIDE DRIVER. Uoffset: 200V. Boîtier: DIP-14. Tension de sortie: 10 - 20V. Constructeur: IR. Io+/- 3.0A/3.0A

 
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Circuit intégré IR2010S
IR2010S
13.44€ TTC
26 En stock
26 En stock

Circuit intégré IR2010S. HIGH & LOW SIDE DRIVER. Uoffset: 200V. Boîtier: SO-16. Tension de sortie: 10 - 20V. Constructeur: IR. Courant de sortie maxi: +/- 3.0A.

 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON